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VBT3060C-E3/8W

VBT3060C-E3/8W

참조 용

부품 번호 VBT3060C-E3/8W
PNEDA 부품 번호 VBT3060C-E3-8W
설명 DIODE SCHOTTKY 30A 60V TO-263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VBT3060C-E3/8W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VBT3060C-E3/8W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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VBT3060C-E3/8W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈TMBS®
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1.2mA @ 60V
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

136A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.8V @ 400A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

110ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 600V

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장착 유형

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Module

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 45V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

MD3CC

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR2X060A04

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 400V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

DD171N12KHPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

171A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 1200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MBR30035CTRL

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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