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VEC2415-TL-E

VEC2415-TL-E

참조 용

부품 번호 VEC2415-TL-E
PNEDA 부품 번호 VEC2415-TL-E
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $2.9810
250 ---------- $2.8413
500 ---------- $2.7015
1,000 ---------- $2.5618
2,500 ---------- $2.4453
5,000 ---------- $2.3289
재고 있음 21,949
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VEC2415-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VEC2415-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
VEC2415-TL-E, VEC2415-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 634.89 KB)
PDFVEC2415-TL-E 데이터 시트 표지
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VEC2415-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds505pF @ 20V
전력-최대1W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지SOT-28FL/VEC8

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-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

AON7932

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A, 8.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

DMN65D8LDWQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MCQ7328-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.675nF @ 25V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 16V

전력-최대

4.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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