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VS-GB150TH120U

VS-GB150TH120U

참조 용

부품 번호 VS-GB150TH120U
PNEDA 부품 번호 VS-GB150TH120U
설명 IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
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예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB150TH120U 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB150TH120U
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GB150TH120U, VS-GB150TH120U 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 157.95 KB)
PDFVS-GB150TH120U 데이터 시트 표지
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  • VS-GB150TH120U Distributor

VS-GB150TH120U 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)280A
전력-최대1147W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce12.7nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지Double INT-A-PAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

277W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

149A

전력-최대

862W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

540W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

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제조업체

Global Power Technologies Group

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IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1630W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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D3

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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