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VS-GB200LH120N

VS-GB200LH120N

참조 용

부품 번호 VS-GB200LH120N
PNEDA 부품 번호 VS-GB200LH120N
설명 IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB200LH120N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB200LH120N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • VS-GB200LH120N Distributor

VS-GB200LH120N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)370A
전력-최대1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.07V @ 15V, 200A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대)100nA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce18nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지Double INT-A-PAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

6mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M5

공급자 장치 패키지

Y4-M5

FF1000R17IE4S4BOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1390A

전력-최대

6250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

81pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-PRIME3-1

FF450R12IE4BOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

2550W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM800DU-12H

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

800A

전력-최대

1500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 800A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

70.4nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF300R12KE4EHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

460A

전력-최대

1600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

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NTC 서미스터

No

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