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VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UX

참조 용

부품 번호 VS-GT100NA120UX
PNEDA 부품 번호 VS-GT100NA120UX
설명 IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 10월 1 - 10월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT100NA120UX 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT100NA120UX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GT100NA120UX, VS-GT100NA120UX 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 173.21 KB)
PDFVS-GT100NA120UX 데이터 시트 표지
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VS-GT100NA120UX 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)134A
전력-최대463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

3150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF165DA60D1G

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

230A

전력-최대

730W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

FF600R12ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FS25R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™ 2

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM75GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

103A

전력-최대

520W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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