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VS-HFA60FA120P

VS-HFA60FA120P

참조 용

부품 번호 VS-HFA60FA120P
PNEDA 부품 번호 VS-HFA60FA120P
설명 DIODE HEXFRED 30A 1200V SOT-227
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-HFA60FA120P 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-HFA60FA120P
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
VS-HFA60FA120P, VS-HFA60FA120P 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 107.11 KB)
PDFVS-HFA60FA120P 데이터 시트 표지
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VS-HFA60FA120P 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFRED®
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)30A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3V @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)123ns
전류-역방향 누설 @ Vr75µA @ 1200V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 15A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 600V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

220A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 440A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 30V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Screw Mount

패키지 / 케이스

TO-244AB

공급자 장치 패키지

TO-244AB

VS-82CNQ030ASMPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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900mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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