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W25X40BVSSIG

W25X40BVSSIG

참조 용

부품 번호 W25X40BVSSIG
PNEDA 부품 번호 W25X40BVSSIG
설명 IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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W25X40BVSSIG 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25X40BVSSIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25X40BVSSIG, W25X40BVSSIG 데이터 시트 (총 페이지: 51, 크기: 1,656.18 KB)
PDFW25X20BVZPIG 데이터 시트 표지
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W25X40BVSSIG 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

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EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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8-DIP

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제조업체

Macronix

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (128K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

324-BGA

공급자 장치 패키지

324-PBGA (19x19)

71V632S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

2Mb (64K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.63V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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