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W631GG8KB12I TR

W631GG8KB12I TR

참조 용

부품 번호 W631GG8KB12I TR
PNEDA 부품 번호 W631GG8KB12I-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W631GG8KB12I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GG8KB12I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GG8KB12I TR, W631GG8KB12I TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 2,842.83 KB)
PDFW631GG8KB15I TR 데이터 시트 표지
W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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W631GG8KB12I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

EDBM432B3PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-VFBGA

공급자 장치 패키지

168-FBGA (12x12)

71V3556SA100BGG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

70261S25PFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY7C1354C-166BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

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