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W971GG8SB-25 TR

W971GG8SB-25 TR

참조 용

부품 번호 W971GG8SB-25 TR
PNEDA 부품 번호 W971GG8SB-25-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W971GG8SB-25 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W971GG8SB-25 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W971GG8SB-25 TR, W971GG8SB-25 TR 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 1,689.51 KB)
PDFW971GG8SB25I 데이터 시트 표지
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W971GG8SB-25 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-WBGA (8x12.5)

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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메모리 유형

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메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

CY7C1381KV33-100BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

AT49F002N-70VC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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