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W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

참조 용

부품 번호 W987D6HBGX6E
PNEDA 부품 번호 W987D6HBGX6E
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 12,452
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W987D6HBGX6E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W987D6HBGX6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W987D6HBGX6E, W987D6HBGX6E 데이터 시트 (총 페이지: 68, 크기: 1,470.3 KB)
PDFW987D2HBJX7E 데이터 시트 표지
W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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  • W987D6HBGX6E Distributor

W987D6HBGX6E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

CY14B101K-SP35XCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

제조업체

ABLIC U.S.A. Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

71V321L55PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

IDT71V65802S133PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

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