W987D2HBJX7E 데이터 시트
|
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x9) |
