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W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

참조 용

부품 번호 W987D6HBGX7E
PNEDA 부품 번호 W987D6HBGX7E
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W987D6HBGX7E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W987D6HBGX7E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W987D6HBGX7E, W987D6HBGX7E 데이터 시트 (총 페이지: 68, 크기: 1,470.3 KB)
PDFW987D2HBJX7E 데이터 시트 표지
W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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W987D6HBGX7E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

MT41K128M16HA-187E:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.125ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

IDT71P74604S250BQG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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