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W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

참조 용

부품 번호 W987D6HBGX6E TR
PNEDA 부품 번호 W987D6HBGX6E-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W987D6HBGX6E TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W987D6HBGX6E TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W987D6HBGX6E TR, W987D6HBGX6E TR 데이터 시트 (총 페이지: 68, 크기: 1,470.3 KB)
PDFW987D2HBJX7E 데이터 시트 표지
W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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W987D6HBGX6E TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA, CSP (6x8)

TE28F128P30T85A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP (18.4x14)

S34ML02G100TFB003

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

N25Q064A13ESE40G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (16M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO W

IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

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