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ZX5T1951GTA

ZX5T1951GTA

참조 용

부품 번호 ZX5T1951GTA
PNEDA 부품 번호 ZX5T1951GTA
설명 TRANS PNP 60V 6A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,238
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZX5T1951GTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZX5T1951GTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZX5T1951GTA, ZX5T1951GTA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 191.08 KB)
PDFZX5T1951GTA 데이터 시트 표지
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ZX5T1951GTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic260mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
전력-최대1.6W
주파수-전환120MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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Micro Commercial Co

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

155mV @ 75mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

450MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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2SC4706

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제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1.4A, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 7A, 4V

전력-최대

130W

주파수-전환

6MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

KSE45H11TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 1V

전력-최대

1.67W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2SA1013-O,T6MIBF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 200mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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