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ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

참조 용

부품 번호 ZXMC3AMCTA
PNEDA 부품 번호 ZXMC3AMCTA
설명 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
제조업체 Diodes Incorporated
단가
1 ---------- $8.4215
100 ---------- $8.0267
250 ---------- $7.6320
500 ---------- $7.2372
750 ---------- $6.9083
1,000 ---------- $6.5793
재고 있음 1,780
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMC3AMCTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMC3AMCTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMC3AMCTA, ZXMC3AMCTA 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 731.16 KB)
PDFZXMC3AMCTA 데이터 시트 표지
ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 2 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 3 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 4 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 5 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 6 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 7 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 8 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 9 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 10 ZXMC3AMCTA 데이터 시트 페이지 11

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  • ZXMC3AMCTA Distributor

ZXMC3AMCTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.9A, 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds190pF @ 25V
전력-최대1.7W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (3x2)

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

NVMFD5485NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 25V

전력-최대

2.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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