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Qimonda 기억

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카테고리반도체 / 메모리 IC / 기억
제조업체Qimonda
기록 4
페이지 1/1
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제조업체
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재고 있음
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메모리 유형
메모리 포맷
기술
메모리 크기
메모리 인터페이스
시계 주파수
쓰기주기 시간-단어, 페이지
접근 시간
전압-공급
작동 온도
장착 유형
패키지 / 케이스
공급자 장치 패키지
HYB25D512800CE-5
Qimonda
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
14,364
-
Volatile
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb (64M x 8)
Parallel
200MHz
-
-
2.3V ~ 2.7V
0°C ~ 70°C (TA)
Surface Mount
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
66-TSOP II
HYB25D512800CE-6
Qimonda
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
16,236
-
Volatile
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb (64M x 8)
Parallel
166MHz
-
-
2.3V ~ 2.7V
0°C ~ 70°C (TA)
Surface Mount
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
66-TSOP II
HYB18T1G800BF-3S
Qimonda
IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA
7,992
-
Volatile
DRAM
SDRAM - DDR2
1Gb (128M x 8)
Parallel
333MHz
-
-
1.7V ~ 1.9V
0°C ~ 95°C (TC)
Surface Mount
68-TFBGA
68-TFBGA (17x10)
HYB25D128800CE-6
Qimonda
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
3,168
-
Volatile
DRAM
SDRAM - DDR
128Mb (16M x 8)
Parallel
166MHz
-
-
2.3V ~ 2.7V
0°C ~ 70°C (TA)
Surface Mount
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
66-TSOP II