Renesas Electronics America Inc. 트랜지스터-양극 (BJT)-RF
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-RF
제조업체Renesas Electronics America Inc.
기록 32
페이지 2/2
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | 트랜지스터 유형 | 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 주파수-전환 | 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 이득 | 전력-최대 | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 전류-수집기 (Ic) (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics America Inc. |
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC |
2,412 |
|
- | 5 PNP | 15V | 5.5GHz | 3.5dB @ 1GHz | - | 150mW | 20 @ 10mA, 2V | 65mA | 150°C (TJ) | Surface Mount | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-SOIC |
|
|
Renesas Electronics America Inc. |
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN |
5,598 |
|
- | 5 PNP | 15V | 5.5GHz | 3.5dB @ 1GHz | - | 150mW | 20 @ 10mA, 2V | 65mA | 175°C (TJ) | Surface Mount | 16-VFQFN Exposed Pad | 16-QFN (3x3) |