Renesas Electronics America Inc. 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Renesas Electronics America Inc.
기록 2
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 손실 (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 패키지 / 케이스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics America Inc. |
MOSFET N-CH LGA |
4,014 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Renesas Electronics America Inc. |
IC MOSFET N-CH |
4,482 |
|
- | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 5.5V | 12A (Ta) | 3.5V, 4.5V | 2.4mOhm @ 12A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 6nC @ 3.5V | ±5.5V | 940pF @ 5.5V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WLCSP (1.47x1.47) | 6-SMD, No Lead |