Renesas Electronics America 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Renesas Electronics America
기록 485
페이지 17/17
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 손실 (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 패키지 / 케이스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics America |
MOSFET N-CH |
6,246 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH UPAK |
5,472 |
|
- | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30V | 3.4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V | 1.4V @ 1mA | 3nC @ 4.5V | +8V, -12V | 330pF @ 10V | - | 1.5W (Ta) | 150°C | Surface Mount | UPAK | TO-243AA |
|
|
|
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH UPAK |
8,622 |
|
- | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60V | 4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1.4V @ 1mA | 5nC @ 4.5V | ±12V | 470pF @ 10V | - | 1.5W (Ta) | 150°C | Surface Mount | UPAK | TO-243AA |
|
|
|
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH |
7,524 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH SC-95 |
6,912 |
|
- | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12V | 4.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 5.6nC @ 4V | ±10V | 810pF @ 10V | - | 200mW (Ta) | 150°C | Surface Mount | SC-95 | SC-95 |