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Rohm Semiconductor 트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Rohm Semiconductor
기록 814
페이지 28/28
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
FET 유형
기술
드레인-소스 전압 (Vdss)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Vgs (최대)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
FET 기능
전력 손실 (최대)
작동 온도
장착 유형
공급자 장치 패키지
패키지 / 케이스
RP1L055SNTR
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
8,316
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60V
5.5A (Ta)
4V, 10V
49mOhm @ 5.5A, 10V
3V @ 1mA
14nC @ 10V
±20V
730pF @ 10V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
Surface Mount
MPT6
6-SMD, Flat Leads
RP1L080SNTR
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
4,680
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60V
8A (Ta)
4V, 10V
24mOhm @ 8A, 10V
3V @ 1mA
40nC @ 10V
±20V
1700pF @ 10V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
Surface Mount
MPT6
6-SMD, Flat Leads
RAQ045P01TCR
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
4,266
-
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
12V
4.5A (Ta)
1.5V, 4.5V
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
1V @ 1mA
40nC @ 4.5V
-8V
4200pF @ 6V
-
600mW (Ta)
150°C (TJ)
Surface Mount
TSMT6 (SC-95)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
7,110
-
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30V
9A (Ta)
4V, 10V
14mOhm @ 9A, 10V
2.5V @ 1mA
39nC @ 5V
±20V
4000pF @ 10V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)