Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

절연체

기록 18,272
페이지 162/610
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
SI8261BAD-C-IMR
SI8261BAD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VELGA
  • 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,604
SI8261BAD-C-IS
SI8261BAD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
견적 요청
SI8261BAD-C-ISR
SI8261BAD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,304
SI8261BBA-C-IS
SI8261BBA-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음3,042
SI8261BBA-C-ISR
SI8261BBA-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,572
SI8261BBC-C-IP
SI8261BBC-C-IP

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,876
SI8261BBC-C-IPR
SI8261BBC-C-IPR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음26,744
SI8261BBC-C-IS
SI8261BBC-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음24,654
SI8261BBC-C-ISR
SI8261BBC-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음10,057
SI8261BBD-C-IM
SI8261BBD-C-IM

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VELGA
  • 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,770
SI8261BBD-C-IMR
SI8261BBD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VELGA
  • 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음3,186
SI8261BBD-C-IS
SI8261BBD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,028
SI8261BBD-C-ISR
SI8261BBD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음9,438
SI8261BCA-C-IS
SI8261BCA-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,412
SI8261BCA-C-ISR
SI8261BCA-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,644
SI8261BCC-C-IP
SI8261BCC-C-IP

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,796
SI8261BCC-C-IPR
SI8261BCC-C-IPR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,482
SI8261BCC-C-IS
SI8261BCC-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음88,184
SI8261BCC-C-ISR
SI8261BCC-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음1,529
SI8261BCD-C-IM
SI8261BCD-C-IM

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VELGA
  • 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,896
SI8261BCD-C-IMR
SI8261BCD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VELGA
  • 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,268
SI8261BCD-C-IS
SI8261BCD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,189
SI8261BCD-C-ISR
SI8261BCD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,562
SI8261CBD-C-IS
SI8261CBD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: *
  • 기술: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: -
재고 있음5,688
SI8261CBD-C-ISR
SI8261CBD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: *
  • 기술: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: -
재고 있음3,168
SI8271ABD-IS
SI8271ABD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: *
  • 기술: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: -
재고 있음8,622
SI8271ABD-ISR
SI8271ABD-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: *
  • 기술: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: -
재고 있음6,372
SI8271AB-IS
SI8271AB-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.6V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음23,940
SI8271AB-ISR
SI8271AB-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.6V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,292
SI8271BBD-IS
SI8271BBD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI SINGLE GATE

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
  • 전류-피크 출력: 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UL, VDE
재고 있음9,792