절연체

부품 번호	설명	재고 있음
SI8261AAD-C-IMR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음2,214
SI8261AAD-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,496
SI8261AAD-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음3,744
SI8261ABA-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,694
SI8261ABA-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음2,646
SI8261ABC-C-IP Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,228
SI8261ABC-C-IPR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음20,796
SI8261ABC-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음3,029
SI8261ABC-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음4,104
SI8261ABD-C-IM Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음3,078
SI8261ABD-C-IMR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음5,742
SI8261ABD-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,264
SI8261ABD-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음4,876
SI8261ACA-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음19,332
SI8261ACA-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음5,310
SI8261ACC-C-IP Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,514
SI8261ACC-C-IPR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,804
SI8261ACC-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음4,626
SI8261ACC-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,856
SI8261ACD-C-IM Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음2,178
SI8261ACD-C-IMR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,532
SI8261ACD-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음2,479
SI8261ACD-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA 전류-피크 출력: 600mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,946
SI8261BAA-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.3V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,036
SI8261BAA-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 1CH GATE DRIVER 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ) 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.3V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음5,958
SI8261BAC-C-IP Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음397
SI8261BAC-C-IPR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음900
SI8261BAC-C-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음458
SI8261BAC-C-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음5,917
SI8261BAD-C-IM Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA 전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VELGA 공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5) 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음8,118

SI8261AAD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음2,214

SI8261AAD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,496

SI8261AAD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음3,744

SI8261ABA-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,694

SI8261ABA-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음2,646

SI8261ABC-C-IP

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,228

SI8261ABC-C-IPR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음20,796

SI8261ABC-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음3,029

SI8261ABC-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음4,104

SI8261ABD-C-IM

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음3,078

SI8261ABD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음5,742

SI8261ABD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,264

SI8261ABD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 9.4V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음4,876

SI8261ACA-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음19,332

SI8261ACA-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음5,310

SI8261ACC-C-IP

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,514

SI8261ACC-C-IPR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,804

SI8261ACC-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음4,626

SI8261ACC-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,856

SI8261ACD-C-IM

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음2,178

SI8261ACD-C-IMR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,532

SI8261ACD-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음2,479

SI8261ACD-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 600mA
전류-피크 출력: 600mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 13.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,946

SI8261BAA-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.3V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,036

SI8261BAA-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns (Typ)
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.3V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음5,958

SI8261BAC-C-IP

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음397

SI8261BAC-C-IPR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음900

SI8261BAC-C-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음458

SI8261BAC-C-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음5,917

SI8261BAD-C-IM

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 28ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 500mA, 1.2A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): 2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
전압-출력 공급: 6.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VELGA
공급자 장치 패키지: 8-LGA (10x12.5)
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음8,118

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