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SIC1182K-TL
SIC1182K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 1.2KV SIC DRVR ESOP-R16

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 500V/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 305ns, 325ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 475ns, 447ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 7.8A, 7.3A
  • 전류-피크 출력: 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 18V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: UL
재고 있음2,934
SID1102K
SID1102K

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO GATE DRVR

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 350ns, 350ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 29ns, 14ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 5A, 5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: VDE
재고 있음8,262
SID1102K-TL
SID1102K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO GATE DRVR

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 350ns, 350ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 29ns, 14ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 5A, 5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: VDE
재고 있음431
SID1112K
SID1112K

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO GATE DRVR

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 1125ns (Max), 1125ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 480mA, 520mA
  • 전류-피크 출력: 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: VDE
재고 있음7,308
SID1112K-TL
SID1112K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO GATE DRVR

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 1125ns (Max), 1125ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 480mA, 520mA
  • 전류-피크 출력: 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: VDE
재고 있음6,678
SID1132K
SID1132K

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 450ns, 450ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.2A, 1.3A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음879
SID1132KQ
SID1132KQ

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 450ns, 450ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.2A, 1.3A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음7,884
SID1132KQ-TL
SID1132KQ-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 450ns, 450ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.2A, 1.3A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음14,094
SID1132K-TL
SID1132K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 450ns, 450ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.2A, 1.3A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음1,260
SID1152K
SID1152K

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 225ns, 225ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.4A, 2.6A
  • 전류-피크 출력: 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음20,196
SID1152K-TL
SID1152K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 225ns, 225ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.4A, 2.6A
  • 전류-피크 출력: 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음1,067
SID1182K
SID1182K

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 81ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 3.6A, 4A
  • 전류-피크 출력: 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음10,332
SID1182KQ
SID1182KQ

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 150ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 3.6A, 4A
  • 전류-피크 출력: 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음7,884
SID1182KQ-TL
SID1182KQ-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 50kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 150ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 3.6A, 4A
  • 전류-피크 출력: 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음14,520
SID1182K-TL
SID1182K-TL

Power Integrations

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

  • 제조업체: Power Integrations
  • 시리즈: SCALE-iDriver™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 340ns, 330ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 81ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 3.6A, 4A
  • 전류-피크 출력: 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 22V ~ 28V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • 공급자 장치 패키지: eSOP-R16B
  • 승인: -
재고 있음1,067
STGAP1AS
STGAP1AS

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 130ns, 130ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.5V ~ 36V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SO
  • 승인: -
재고 있음7,848
STGAP1ASTR
STGAP1ASTR

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 130ns, 130ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.5V ~ 36V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SO
  • 승인: -
재고 있음3,672
STGAP1S
STGAP1S

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 130ns, 130ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.5V ~ 36V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SO
  • 승인: UL
재고 있음8,856
STGAP1STR
STGAP1STR

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 130ns, 130ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 10ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 4.5V ~ 36V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SO
  • 승인: UL
재고 있음4,212
STGAP2DM
STGAP2DM

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): -
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 승인: -
재고 있음5,796
STGAP2DMTR
STGAP2DMTR

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 1700VDC
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100V/ns
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 100ns, 100ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 20ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 4A, 4A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 3V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO
  • 승인: -
재고 있음8,280
STGAP2SCM
STGAP2SCM

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1700VDC
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100V/ns
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 100ns, 100ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 20ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 4A, 4A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 3V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 승인: -
재고 있음4,608
STGAP2SCMTR
STGAP2SCMTR

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1700VDC
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100V/ns
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 100ns, 100ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 20ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 4A, 4A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 3V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 승인: -
재고 있음8,676
STGAP2SM
STGAP2SM

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1700VDC
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100V/ns
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 100ns, 100ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 20ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 4A, 4A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 3V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 승인: -
재고 있음2,934
STGAP2SMTR
STGAP2SMTR

STMicroelectronics

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 기술: Magnetic Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1700VDC
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 100V/ns
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 100ns, 100ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 20ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 4A, 4A
  • 전류-피크 출력: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 3V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 승인: -
재고 있음6,984
TLP151A(E)
TLP151A(E)

Toshiba Semiconductor and Storage

절연체-게이트 드라이버

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 기술: Optical Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 500ns, 500ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 400mA
  • 전류-피크 출력: 600mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • 전압-출력 공급: 10V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
  • 승인: cUL, UL
재고 있음88,062
TLP151A(TPR,E)
TLP151A(TPR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

절연체-게이트 드라이버

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 기술: Optical Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 500ns, 500ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 400mA, 400mA
  • 전류-피크 출력: 600mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • 전압-출력 공급: 10V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
  • 승인: cUL, UL
재고 있음3,996
TLP152(E
TLP152(E

Toshiba Semiconductor and Storage

절연체-게이트 드라이버

X36 PB-F PHOTOCOUPLER IGBT/MOSFE

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 기술: Optical Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 170ns, 190ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 50ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 22ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2A, 2A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 15mA
  • 전압-출력 공급: 10V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO
  • 승인: CQC, cUL, UL
재고 있음3,096
TLP152(TPL,E
TLP152(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

절연체-게이트 드라이버

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 기술: Optical Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 145ns, 165ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 50ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 22ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: 2A, 2A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • 전압-출력 공급: 10V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
  • 승인: -
재고 있음29,304
TLP155(E
TLP155(E

Toshiba Semiconductor and Storage

절연체-게이트 드라이버

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 기술: Optical Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 200ns, 200ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 50ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 35ns, 15ns
  • 전류-출력 높음, 낮음: -
  • 전류-피크 출력: 600mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • 전압-출력 공급: 10V ~ 30V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
  • 승인: -
재고 있음6,084