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FODM1009
FODM1009

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 1CH TRANS LSOP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.7µs, 8.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음6,930
FODM1009R2
FODM1009R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 1CH TRANS LSOP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5.7µs, 8.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음21,798
FODM121
FODM121

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음45,742
FODM121A
FODM121A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음123,606
FODM121AR1
FODM121AR1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,190
FODM121AR1V
FODM121AR1V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,608
FODM121AR2
FODM121AR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음32,443
FODM121AR2V
FODM121AR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음136,507
FODM121AV
FODM121AV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,146
FODM121B
FODM121B

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,788
FODM121BR1
FODM121BR1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,722
FODM121BR1V
FODM121BR1V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,064
FODM121BR2
FODM121BR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,678
FODM121BR2V
FODM121BR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,448
FODM121BV
FODM121BV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,048
FODM121C
FODM121C

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,406
FODM121CR1
FODM121CR1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,222
FODM121CR2
FODM121CR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음22,542
FODM121CR2V
FODM121CR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,028
FODM121CR4V
FODM121CR4V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM121
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,582
FODM121CV
FODM121CV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음5,508
FODM121D
FODM121D

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,154
FODM121DR1
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ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,934
FODM121DR1V
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ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
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FODM121DR2
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
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FODM121DR2V
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
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  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
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  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
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  • 전압-출력 (최대): 80V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
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FODM121DV
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
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  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
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  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
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  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
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  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
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재고 있음5,760
FODM121E
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
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  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
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  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
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재고 있음8,334
FODM121ER1
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,430
FODM121ER1V
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
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  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
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  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
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  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
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