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FODM121ER2
FODM121ER2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,020
FODM121ER2V
FODM121ER2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,842
FODM121EV
FODM121EV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,730
FODM121F
FODM121F

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,912
FODM121FR1
FODM121FR1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,690
FODM121FR1V
FODM121FR1V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,964
FODM121FR2
FODM121FR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,168
FODM121FR2V
FODM121FR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,640
FODM121FV
FODM121FV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,020
FODM121G
FODM121G

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,172
FODM121GR4
FODM121GR4

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER PHOTOTRANS MFP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,678
FODM121R1
FODM121R1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음93
FODM121R2
FODM121R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음294,564
FODM121R2V
FODM121R2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,858
FODM121V
FODM121V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,590
FODM124
FODM124

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음12,739
FODM124R2
FODM124R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,628
FODM124R2V
FODM124R2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음155,166
FODM214
FODM214

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM214
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음5,022
FODM214A
FODM214A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM214
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음8,550
FODM214AR2
FODM214AR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,628
FODM214R2
FODM214R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,796
FODM217A
FODM217A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4SOP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음36,996
FODM217AR2
FODM217AR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

4 PIN TRANSISTOR OUTPUT MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음23,814
FODM217AR2V
FODM217AR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER PHOTOTRANS MFP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,024
FODM217AV
FODM217AV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음24,546
FODM217B
FODM217B

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

4 PIN TRANSISTOR OUTPUT MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음8,532
FODM217BR2
FODM217BR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

4 PIN TRANSISTOR OUTPUT MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음4,158
FODM217BR2V
FODM217BR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER PHOTOTRANS MFP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,462
FODM217BV
FODM217BV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOTRANSISTOR OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: FODM217
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음25,392