절연체

부품 번호	설명	재고 있음
H11A617C300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음7,974
H11A617C300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,084
H11A617C3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,616
H11A617C3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음3,580
H11A617CS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,202
H11A617CSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,428
H11A617CW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음5,796
H11A617D ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,910
H11A617D300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,316
H11A617D300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,210
H11A617D3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,112
H11A617D3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음3,204
H11A617DS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,362
H11A617DSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,228
H11A617DW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,250
H11A817 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음3,276
H11A817300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,100
H11A817300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,068
H11A8173S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,912
H11A8173SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,940
H11A817A ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음1,051
H11A817A300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,730
H11A817A300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,178
H11A817A3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,032
H11A817A3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,848
H11A817AS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,092
H11A817ASD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음250
H11A817AW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,100
H11A817B ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,804
H11A817B300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,536

H11A617C300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음7,974

H11A617C300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,084

H11A617C3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,616

H11A617C3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음3,580

H11A617CS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,202

H11A617CSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,428

H11A617CW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음5,796

H11A617D

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,910

H11A617D300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,316

H11A617D300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,210

H11A617D3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,112

H11A617D3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음3,204

H11A617DS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,362

H11A617DSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,228

H11A617DW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,250

H11A817

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음3,276

H11A817300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,100

H11A817300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,068

H11A8173S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,912

H11A8173SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,940

H11A817A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음1,051

H11A817A300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,730

H11A817A300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,178

H11A817A3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,032

H11A817A3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,848

H11A817AS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,092

H11A817ASD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음250

H11A817AW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,100

H11A817B

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,804

H11A817B300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,536

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