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H11AA2
H11AA2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,050
H11AA2
H11AA2

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,732
H11AA2300
H11AA2300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,542
H11AA2300W
H11AA2300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,446
H11AA23S
H11AA23S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,370
H11AA23SD
H11AA23SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,014
H11AA2M
H11AA2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,276
H11AA2M
H11AA2M

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,470
H11AA2S
H11AA2S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,412
H11AA2S1(TA)
H11AA2S1(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,968
H11AA2S1(TA)-V
H11AA2S1(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,148
H11AA2S1(TB)
H11AA2S1(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,744
H11AA2S1(TB)-V
H11AA2S1(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,232
H11AA2SD
H11AA2SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음6,372
H11AA2SM
H11AA2SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,598
H11AA2SR2M
H11AA2SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,014
H11AA2SR2VM
H11AA2SR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,294
H11AA2S(TA)
H11AA2S(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,254
H11AA2S(TA)-V
H11AA2S(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,292
H11AA2S(TB)
H11AA2S(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,996
H11AA2S(TB)-V
H11AA2S(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,042
H11AA2SVM
H11AA2SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음6,228
H11AA2TM
H11AA2TM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,618
H11AA2TVM
H11AA2TVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,514
H11AA2-V
H11AA2-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,444
H11AA2VM
H11AA2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,408
H11AA2W
H11AA2W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음2,790
H11AA3
H11AA3

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,544
H11AA3
H11AA3

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음2,376
H11AA3300
H11AA3300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,964