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TLP121(Y,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음4,230
TLP121(Y-TPL,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음7,596
TLP121(Y-TPR,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
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  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음3,708
TLP124(BV,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
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  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음3,474
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
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  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음17,552
TLP124(BV-TPR,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
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  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
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  • 입력 유형: DC
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재고 있음347,532
TLP124F
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
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  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음6,528
TLP124(TPL,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
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  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
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  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음7,200
TLP124(TPL-PP,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
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  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음3,510
TLP124(TPR,F)
TLP124(TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
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  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
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  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음1,131,288
TLP124(TPRS,F)
TLP124(TPRS,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음5,184
TLP126(F)
TLP126(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음215
TLP126TPRF
TLP126TPRF

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음24,810
TLP127TPRUF
TLP127TPRUF

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV DARLNG 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1.2V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead
재고 있음655,446
TLP130GBF
TLP130GBF

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음3,562
TLP130(GB-TPR,F)
TLP130(GB-TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음6,624
TLP131(F)
TLP131(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음2,430
TLP131(GB-TPL,F)
TLP131(GB-TPL,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음12,082
TLP131(GB-TPR,F)
TLP131(GB-TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음6,534
TLP131(GR,F)
TLP131(GR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
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TLP131(GR-TPL,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
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  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음8,208
TLP137(BV,F)
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광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음5,994
TLP137(BV-TPL,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음5,400
TLP137(BV-TPR,F)
TLP137(BV-TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음4,896
TLP137(F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음242,574
TLP137(TPL,F)
TLP137(TPL,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음1,627
TLP137(TPR,F)
TLP137(TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 5 Lead
재고 있음8,172