절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음128,370
TLP185(GRL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음126,936
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS BUL 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,614
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음112,834
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 9µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 9µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음412
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,780
TLP185(SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,642
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,112
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SMD T&R 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 9µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 9µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,606
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,952
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,748
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,196
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER ROHS SO6 B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,532
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV DARL 6-SO, 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,046
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER ROHS SO6 T 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,958
TLP188(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음517,488
TLP190B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 1ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 12µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음615,348
TLP190B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 1ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 12µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음16,532
TLP191B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 3ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 24µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 80°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음565
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 3ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 24µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 80°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음20,256
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK R 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 40V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,880
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 40V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음70,915
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음2,682
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음22,998
TLP2303(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 TAPE & 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음7,650
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음8,724
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음99,918
TLP2309(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F HIGH SPEED LOGIC OUTPUT 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead	재고 있음3,726
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 8SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 1µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 60mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,904
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 8SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 16mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,040

TLP185(GRH-TL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음128,370

TLP185(GRL-TL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음126,936

TLP185(GR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS BUL

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,614

TLP185(GR-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음112,834

TLP185(GR-TPR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 9µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 9µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음412

TLP185(GR-TPR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,780

TLP185(SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,642

TLP185(TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,112

TLP185(TPR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SMD T&R

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 9µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 9µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,606

TLP185(TPR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,952

TLP185(YH-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,748

TLP185(Y-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,196

TLP187(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER ROHS SO6 B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,532

TLP187(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV DARL 6-SO, 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,046

TLP187(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER ROHS SO6 T

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,958

TLP188(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음517,488

TLP190B(TPR,U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 1ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 12µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음615,348

TLP190B(U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 1ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 12µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음16,532

TLP191B(TPR,U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 3ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 24µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 80°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음565

TLP191B(U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 3ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 24µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 80°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음20,256

TLP2301(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK R

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 40V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,880

TLP2301(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 40V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음70,915

TLP2303(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음2,682

TLP2303(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음22,998

TLP2303(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 TAPE &

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음7,650

TLP2309(E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음8,724

TLP2309(TPL,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음99,918

TLP2309(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F HIGH SPEED LOGIC OUTPUT

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 1µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead

재고 있음3,726

TLP2403(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 8SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 1µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 60mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,904

TLP2409(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 8SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 16mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,040

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message