절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP2409(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS 8SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 16mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,726
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음15,874
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음341
TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 900% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 8000% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 330ns, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.47V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음4,482
TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 900% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 8000% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 330ns, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 18V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.47V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음7,290
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음224,915
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음54,094
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음672
TLP281-4(TP,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음608
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음4,962
TLP283(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 70µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 100V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음4,896
TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음3,978
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음95,592
TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음124,591
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음273,066
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음6,192
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,686
TLP290(E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음5,994
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음31,182
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음40,227
TLP290(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,015
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음6,948
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음2,090
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음2,844
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음8,442
TLP290(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음2,178
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음2,934
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음147,648
TLP290(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음5,202
TLP291-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음94,128

TLP2409(TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 8SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 16mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.57V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,726

TLP2530(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음15,874

TLP2531(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음341

TLP2703(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 900% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 8000% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 330ns, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.47V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음4,482

TLP2703(TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 900% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 8000% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 330ns, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 18V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.47V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음7,290

TLP280-4(GB,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음224,915

TLP280-4(GB-TP,J,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음54,094

TLP281-4(GB-TP,J,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음672

TLP281-4(TP,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음608

TLP281(GB-TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음4,962

TLP283(TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 70µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 100V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음4,896

TLP285(TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음3,978

TLP290-4(GB,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음95,592

TLP290-4(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음124,591

TLP290-4(TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음273,066

TLP290(BLL-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음6,192

TLP290(BL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,686

TLP290(E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음5,994

TLP290(GB,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음31,182

TLP290(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음40,227

TLP290(GB-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,015

TLP290(GR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음6,948

TLP290(GR-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음2,090

TLP290(GR-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음2,844

TLP290(SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음8,442

TLP290(TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음2,178

TLP290(TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음2,934

TLP290(V4GBTP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음147,648

TLP290(Y-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음5,202

TLP291-4(GB,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음94,128

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