절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP292-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음6,120
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음18,834
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음27,828
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음20,928
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음32,382
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음33,618
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음21,582
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음15,816
TLP292-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음8,028
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음7,296
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음3,490
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음19,254
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음6,852
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음19,578
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음16,158
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음7,404
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음23,856
TLP292-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음16,590
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,092
TLP292(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,704
TLP292(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,348
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음8,244
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,128
TLP292(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음8,298
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음29,310
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음5,490
TLP293-4(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음7,812
TLP293-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음31,158
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음1,550
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음3,508

TLP292-4(LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음6,120

TLP292-4(LA-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음18,834

TLP292-4(LA-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음27,828

TLP292-4(LGB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음20,928

TLP292-4(LGBTP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음32,382

TLP292-4(LGBTR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음33,618

TLP292-4(TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음21,582

TLP292-4(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음15,816

TLP292-4(V4,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음8,028

TLP292-4(V4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음7,296

TLP292-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음3,490

TLP292-4(V4GBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음19,254

TLP292-4(V4-LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음6,852

TLP292-4(V4LATPE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음19,578

TLP292-4(V4LATRE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음16,158

TLP292-4(V4LGB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음7,404

TLP292-4(V4-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음23,856

TLP292-4(V4-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음16,590

TLP292(BL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,092

TLP292(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,704

TLP292(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,348

TLP292(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음8,244

TLP292(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,128

TLP292(Y-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음8,298

TLP293-4(4LGBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음29,310

TLP293-4(4LGBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음5,490

TLP293-4(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음7,812

TLP293-4(GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음31,158

TLP293-4(GB-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음1,550

TLP293-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음3,508

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