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부품 번호	설명	재고 있음
TLP385(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,896
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,030
TLP385(D4GH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,892
TLP385(D4GH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,280
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,442
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,328
TLP385(D4-GR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,784
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,906
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,034
TLP385(D4GR-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,006
TLP385(D4GR-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,586
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,960
TLP385(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,402
TLP385(D4-Y,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,628
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,534
TLP385(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,606
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,706
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,308
TLP385(D4Y-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,178
TLP385(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,580
TLP385(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,466
TLP385(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,230
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,634
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,374
TLP385(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,106
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,004
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,014
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,922
TLP385(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,156
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,472

TLP385(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,896

TLP385(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,030

TLP385(D4GH-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,892

TLP385(D4GH-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,280

TLP385(D4GL-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,442

TLP385(D4GL-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,328

TLP385(D4-GR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,784

TLP385(D4-GRH,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,906

TLP385(D4-GRL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,034

TLP385(D4GR-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,006

TLP385(D4GR-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,586

TLP385(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,960

TLP385(D4-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,402

TLP385(D4-Y,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,628

TLP385(D4-YH,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,534

TLP385(D4YH-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,606

TLP385(D4YH-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,706

TLP385(D4Y-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,308

TLP385(D4Y-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,178

TLP385(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,580

TLP385(GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,466

TLP385(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,230

TLP385(GB-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,634

TLP385(GR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,374

TLP385(GRH,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,106

TLP385(GRH-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,004

TLP385(GRH-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,014

TLP385(GRL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,922

TLP385(GRL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,156

TLP385(GRL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,472

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