절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,934
TLP385(GR-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,096
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,210
TLP385(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,464
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,434
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,076
TLP387(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음6,030
TLP387(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음7,614
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음5,076
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음3,456
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음26,898
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음2,376
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음24,174
TLP388(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음7,668
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음22,320
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음4,752
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음45,426
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 350V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음5,202
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTOVOLTAIC; 2.5KV BV; MFSOP6; 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 600µs, 2ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음4,176
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 600µs, 2ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead	재고 있음6,012
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTOVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 12 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 30µA (Typ) 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음7,758
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTORVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 1 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 30µA (Typ) 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음4,248
TLP3905(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTORVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 1 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 30µA (Typ) 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음2,034
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTOVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 12 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 30µA (Typ) 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,920
TLP3906(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 12µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음57,930
TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 12µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,408
TLP3914(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 1.5KV PHOTOVOLTAIC 4SSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 1500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 600µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 7V 전류-출력 / 채널: 20µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-SSOP	견적 요청
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 1.5KV PHOTOVOLTAIC 4SSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 1500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 4µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-SSOP	재고 있음2,124
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음7,524
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음9,455

TLP385(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,934

TLP385(GR-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,096

TLP385(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,210

TLP385(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,464

TLP385(Y,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,434

TLP385(YH,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,076

TLP387(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음6,030

TLP387(D4-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음7,614

TLP387(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음5,076

TLP387(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음3,456

TLP388(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음26,898

TLP388(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음2,376

TLP388(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음24,174

TLP388(D4-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음7,668

TLP388(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음22,320

TLP388(GB-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음4,752

TLP388(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음45,426

TLP388(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER HIGH VCEO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 350V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음5,202

TLP3902(TPL,U,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOVOLTAIC; 2.5KV BV; MFSOP6;

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 600µs, 2ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음4,176

TLP3902(TPR,U,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 600µs, 2ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-MFSOP, 4 Lead

재고 있음6,012

TLP3905(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 12

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 30µA (Typ)
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음7,758

TLP3905(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTORVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 1

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 30µA (Typ)
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음4,248

TLP3905(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTORVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 1

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 1ms
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 30µA (Typ)
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음2,034

TLP3906(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTOVOLTAIC; 3.75KV BV; SO6; 12

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 30µA (Typ)
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,920

TLP3906(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 12µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음57,930

TLP3906(TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200µs, 300µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 12µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,408

TLP3914(TP15,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV PHOTOVOLTAIC 4SSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 1500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 600µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 7V
전류-출력 / 채널: 20µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-SSOP

견적 요청

TLP3924(TP15,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV PHOTOVOLTAIC 4SSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 1500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 4µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-SSOP

재고 있음2,124

TLP504A-2(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음7,524

TLP504A(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 2CH TRANS 8-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음9,455

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