절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP621-4X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음31,140
TLP621X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS 4DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음31,104
TLP621XGB Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 1CH TRANS 4DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음33,654
TLP621XSM Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS 4SMD 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: -	재고 있음18,336
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음5,436
TLP624-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음3,985
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음14,394
TLP624LF1F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,514
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음7,236
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음8,100
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음69
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,248
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,748
TLP627-4F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV 4CH DARLINGTON 16DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음3,582
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음94,801
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음87,716
TLP630(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,930
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,214
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,622
TLP631(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,478
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,446
TLP632(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,282
TLP632(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,200
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOCOUPLER TRANS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음7,344
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6-SDIP GW 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing	재고 있음4,788
TLP719(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6-SDIP GW 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing	재고 있음65,232
TLP731(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,788
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 4KV TRANSISTOR 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,544
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOCOUPLER TRANS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,138
TLP733(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOCOUPLER TRANS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,364

TLP621-4X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음31,140

TLP621X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS 4DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음31,104

TLP621XGB

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 1CH TRANS 4DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음33,654

TLP621XSM

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS 4SMD

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: -

재고 있음18,336

TLP624-2(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음5,436

TLP624-4(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음3,985

TLP624F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음14,394

TLP624LF1F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,514

TLP626-2(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음7,236

TLP626-4(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음8,100

TLP626(BV,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음69

TLP626(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,248

TLP626(TP1,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,748

TLP627-4F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 4CH DARLINGTON 16DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음3,582

TLP627(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음94,801

TLP627(TP1,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음87,716

TLP630(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,930

TLP631(BL,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,214

TLP631(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,622

TLP631(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,478

TLP631(GR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,446

TLP632(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,282

TLP632(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,200

TLP651(O,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음7,344

TLP719(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6-SDIP GW

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing

재고 있음4,788

TLP719(TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6-SDIP GW

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.65V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP Gull Wing

재고 있음65,232

TLP731(D4-GR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,788

TLP732(D4-GR-LF2,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 4KV TRANSISTOR 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,544

TLP733(D4-C172,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,138

TLP733(D4-C173,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,364

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