절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음26,304
TLP293(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음2,772
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,536
TLP321-2X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음71,202
TLP321-4X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음79,914
TLP321X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS 4DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음29,244
TLP3317(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 PHOTORELAY 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 1000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 140µs, 160µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: 20°C ~ 65°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (0.128", 3.25mm) 공급자 장치 패키지: 4-USOP	재고 있음4,050
TLP331(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,884
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,020
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,600
TLP371F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,376
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음65,664
TLP372(F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 6-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1.2V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음21,420
TLP383(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음5,940
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER LOW CURRE 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,554
TLP383(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음231,264
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,156
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,812
TLP385(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,958
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음7,272
TLP385(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음6,480
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,176
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,904
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음3,006
TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,100
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,352
TLP385(D4BL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음2,214
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음8,154
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음4,590
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead	재고 있음5,940

TLP293(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음26,304

TLP293(YH-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음2,772

TLP293(Y-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,536

TLP321-2X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음71,202

TLP321-4X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음79,914

TLP321X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS 4DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음29,244

TLP3317(TP15,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTORELAY

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 1000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 140µs, 160µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: 20°C ~ 65°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
공급자 장치 패키지: 4-USOP

재고 있음4,050

TLP331(BV,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,884

TLP331(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,020

TLP332(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 1200% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 8µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,600

TLP371F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,376

TLP371(TP1,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음65,664

TLP372(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 6-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 50µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): 40µs, 15µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1.2V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음21,420

TLP383(D4BLLTL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음5,940

TLP383(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER LOW CURRE

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,554

TLP383(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음231,264

TLP385(BL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,156

TLP385(BLL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,812

TLP385(BLL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,958

TLP385(BLL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음7,272

TLP385(BL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음6,480

TLP385(BL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,176

TLP385(D4-BL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,904

TLP385(D4-BLL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음3,006

TLP385(D4BLLTL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,100

TLP385(D4BLLTR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,352

TLP385(D4BL-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음2,214

TLP385(D4BL-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음8,154

TLP385(D4,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음4,590

TLP385(D4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 6-SO, 4 Lead

재고 있음5,940

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