절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	견적 요청
TLP291-4(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음654,558
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음10,426
TLP291(BLL,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,842
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음357,960
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음69,817
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,996
TLP291(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음164,346
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음20,364
TLP291(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음13,635
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,842
TLP291(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F TRANSISTOR COUPLER DC I 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,526
TLP291(GRH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,218
TLP291(GRL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음6,264
TLP291(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음5,040
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음6,912
TLP291(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음153,894
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,418
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,038
TLP291(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,544
TLP291(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F TRANSISTOR COUPLER SO4 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,686
TLP291(V4GRTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,096
TLP291(YH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음5,328
TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,248
TLP292-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음28,380
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음16,494
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음6,930
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음8,532
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음89,993
TLP292-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음5,886

TLP291-4(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

견적 요청

TLP291-4(TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음654,558

TLP291-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음10,426

TLP291(BLL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,842

TLP291(BLL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음357,960

TLP291(BL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음69,817

TLP291(E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,996

TLP291(GB,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음164,346

TLP291(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음20,364

TLP291(GB-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음13,635

TLP291(GR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,842

TLP291(GRH,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F TRANSISTOR COUPLER DC I

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,526

TLP291(GRH-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,218

TLP291(GRL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음6,264

TLP291(GR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음5,040

TLP291(GR-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음6,912

TLP291(GR-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음153,894

TLP291(SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO4 BULK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,418

TLP291(TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,038

TLP291(TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,544

TLP291(V4GBTP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F TRANSISTOR COUPLER SO4

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,686

TLP291(V4GRTP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,096

TLP291(YH-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 75% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음5,328

TLP291(Y-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,248

TLP292-4(4LGBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음28,380

TLP292-4(4LGBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음16,494

TLP292-4(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음6,930

TLP292-4(GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음8,532

TLP292-4(GB-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음89,993

TLP292-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음5,886

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