메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
00003138321 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,220
00101927 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,816
051FL164K0XMFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,394
054-51760-51 IDT, Integrated Device Technology	기억 MEMORY SRAM 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,430
054-51760-57 IDT, Integrated Device Technology	기억 MEMORY SRAM 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,382
0791076239RQA00 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,056
0791078169RQA00 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,094
10324-06850 Cypress Semiconductor	기억 FLASH MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,834
110756 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 48TSOP 1 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,136
11AA010-I/MS Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8MSOP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음17,088
11AA010-I/P Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SGL WIRE 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음19,638
11AA010-I/S16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SGL WIRE 4CSP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,194
11AA010-I/SN Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음22,110
11AA010-I/TO Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE TO92-3 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음14,742
11AA010-I/W16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 100KHZ 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,472
11AA010-I/WF16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 100KHZ 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,478
11AA010T-I/MNY Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8TDFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)	재고 있음4,356
11AA010T-I/MS Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8MSOP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음6,210
11AA010T-I/SN Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,358
11AA010T-I/TT Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1K SGL WIRE SOT23-3 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음144,768
11AA020-I/MS Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8MSOP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음3,294
11AA020-I/P Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SGL WIRE 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음18,186
11AA020-I/S16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,430
11AA020-I/SN Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,043
11AA020-I/TO Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE TO92-3 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,348
11AA020-I/W16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,394
11AA020-I/WF16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,750
11AA020T-I/CS16K Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SGL WIRE 4CSP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, CSPBGA 공급자 장치 패키지: 4-CSP	재고 있음6,696
11AA020T-I/MNY Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8TDFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)	재고 있음4,662
11AA020T-I/MS Microchip Technology	기억 IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8MSOP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: Single Wire 시계 주파수: 100kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음5,886

00003138321

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,220

00101927

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,816

051FL164K0XMFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,394

054-51760-51

IDT, Integrated Device Technology

기억

MEMORY SRAM

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,430

054-51760-57

IDT, Integrated Device Technology

기억

MEMORY SRAM

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,382

0791076239RQA00

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,056

0791078169RQA00

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,094

10324-06850

Cypress Semiconductor

기억

FLASH MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,834

110756

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR 48TSOP 1

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,136

11AA010-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8MSOP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음17,088

11AA010-I/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SGL WIRE 8DIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음19,638

11AA010-I/S16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SGL WIRE 4CSP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,194

11AA010-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음22,110

11AA010-I/TO

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE TO92-3

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음14,742

11AA010-I/W16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 100KHZ

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,472

11AA010-I/WF16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 100KHZ

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,478

11AA010T-I/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8TDFN

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)

재고 있음4,356

11AA010T-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8MSOP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음6,210

11AA010T-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,358

11AA010T-I/TT

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1K SGL WIRE SOT23-3

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음144,768

11AA020-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8MSOP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음3,294

11AA020-I/P

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SGL WIRE 8DIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음18,186

11AA020-I/S16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,430

11AA020-I/SN

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,043

11AA020-I/TO

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE TO92-3

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,348

11AA020-I/W16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,394

11AA020-I/WF16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 100KHZ

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,750

11AA020T-I/CS16K

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SGL WIRE 4CSP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지: 4-CSP

재고 있음6,696

11AA020T-I/MNY

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8TDFN

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-TDFN (2x3)

재고 있음4,662

11AA020T-I/MS

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 2K SINGLE WIRE 8MSOP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: Single Wire
시계 주파수: 100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음5,886

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