Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 1055/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)
재고 있음6,948
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64GBIT 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,042
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 6Tb (768G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,066
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 6Tb (768G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,058
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 6Tb (768G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,128
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 768Gb (96G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)
재고 있음2,052
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 768Gb (96G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)
재고 있음3,330
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 768Gb (96G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)
재고 있음4,824
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 152VBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)
재고 있음7,632
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL VBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)
재고 있음3,870
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 167MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)
재고 있음6,930
MT29F128G08AEEBBH6-12:B
MT29F128G08AEEBBH6-12:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 83MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)
재고 있음3,600
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 83MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)
재고 있음6,012
MT29F128G08AJAAAWP:A
MT29F128G08AJAAAWP:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음2,538
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음2,178
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음8,712
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음49,810
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음7,776
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음868
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A TR
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음2,790
MT29F128G08AKAAAC5:A
MT29F128G08AKAAAC5:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 52-VLGA
  • 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)
재고 있음6,750
MT29F128G08AKAAAC5-IT:A
MT29F128G08AKAAAC5-IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 52-VLGA
  • 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)
재고 있음8,244
MT29F128G08AKAAAC5-ITZ:A
MT29F128G08AKAAAC5-ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 52-VLGA
  • 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)
재고 있음7,308
MT29F128G08AKAAAC5-Z:A
MT29F128G08AKAAAC5-Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 52-VLGA
  • 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)
재고 있음2,232
MT29F128G08AKCABH2-10:A
MT29F128G08AKCABH2-10:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음6,174
MT29F128G08AKCABH2-10:A TR
MT29F128G08AKCABH2-10:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음3,168
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음45
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음3,438
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음7,956
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)
재고 있음8,352