메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT40A1G8SA-062E:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음5,616
MT40A1G8SA-062E:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음8,388
MT40A1G8SA-062E IT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음3,096
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음2,898
MT40A1G8SA-062E IT:J Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음6,588
MT40A1G8SA-062E IT:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음8,442
MT40A1G8SA-062E:J Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음4,086
MT40A1G8SA-062E:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음2,934
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음78,950
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음2,502
MT40A1G8SA-075:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음7,038
MT40A1G8WE-075E AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음7,398
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음6,660
MT40A1G8WE-075E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음8,064
MT40A1G8WE-075E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음5,940
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음4,284
MT40A1G8WE-075E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음8,154
MT40A1G8WE-075E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음5,760
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음2,268
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음7,488
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음2,772
MT40A1G8WE-083E AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음5,184
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음4,680
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음3,258
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음4,284
MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음2,178
MT40A1G8WE-083E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음5,886
MT40A1G8WE-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)	재고 있음7,254
MT40A1G8Z01AWC1 Micron Technology Inc.	기억 DDR4 8G DIE 1GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,748
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음5,418

MT40A1G8SA-062E:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음5,616

MT40A1G8SA-062E:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음8,388

MT40A1G8SA-062E IT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음3,096

MT40A1G8SA-062E IT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음2,898

MT40A1G8SA-062E IT:J

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음6,588

MT40A1G8SA-062E IT:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음8,442

MT40A1G8SA-062E:J

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음4,086

MT40A1G8SA-062E:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음2,934

MT40A1G8SA-075:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음78,950

MT40A1G8SA-075:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음2,502

MT40A1G8SA-075:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음7,038

MT40A1G8WE-075E AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음7,398

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음6,660

MT40A1G8WE-075E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음8,064

MT40A1G8WE-075E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음5,940

MT40A1G8WE-075E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음4,284

MT40A1G8WE-075E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음8,154

MT40A1G8WE-075E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음5,760

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음2,268

MT40A1G8WE-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음7,488

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음2,772

MT40A1G8WE-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음5,184

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음4,680

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음3,258

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음4,284

MT40A1G8WE-083E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음2,178

MT40A1G8WE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음5,886

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x12)

재고 있음7,254

MT40A1G8Z01AWC1

Micron Technology Inc.

기억

DDR4 8G DIE 1GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,748

MT40A256M16GE-062E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음5,418

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