메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
NV25160DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 16KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,526
NV25160DWHFT3G ON Semiconductor	기억 16KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음28,284
NV25256MUW3VTBG ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 256KB 8UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,714
NV25320DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 32KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
NV25320DWHFT3G ON Semiconductor	기억 32KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 32Kb (4K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,960
NV25512MUW3VTBG ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 512KB 8UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,174
NV25640DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 64KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,320
NV25640DWHFT3G ON Semiconductor	기억 64KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 64K (8K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,002
NV25M01DTUTG ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER CMOS 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,240
NXH5104UK/A1Z NXP	기억 IC EEPROM SPI 4MBIT WLCSP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 13-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 13-WLCSP (2.8x2.74)	재고 있음20,406
P770024CFYC000 Cypress Semiconductor	기억 IC MPD NOR 80PQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,924
P770040BFWC052 XF Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,734
P770040BFWC070 XF Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,456
P770040CFWC071 XF Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,454
PC28F00AG18AE Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음4,212
PC28F00AG18FE Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음3,924
PC28F00AG18FF TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음2,988
PC28F00AM29EWH0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음2,322
PC28F00AM29EWHA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음8,530
PC28F00AM29EWHB TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음3,600
PC28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음2,934
PC28F00AM29EWLA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음176,583
PC28F00AM29EWLD Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음5,166
PC28F00AM29EWLE Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)	재고 있음5,598
PC28F00AP30BF0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음4,608
PC28F00AP30BFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음25,205
PC28F00AP30BFB TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음3,492
PC28F00AP30EF0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음3,870
PC28F00AP30EFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음56,627
PC28F00AP30TF0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음4,896

NV25160DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 16KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,526

NV25160DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

16KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음28,284

NV25256MUW3VTBG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 256KB 8UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,714

NV25320DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 32KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,336

NV25320DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

32KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,960

NV25512MUW3VTBG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 512KB 8UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,174

NV25640DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 64KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,320

NV25640DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

64KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 64K (8K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,002

NV25M01DTUTG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER CMOS 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,240

NXH5104UK/A1Z

NXP

기억

IC EEPROM SPI 4MBIT WLCSP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 13-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 13-WLCSP (2.8x2.74)

재고 있음20,406

P770024CFYC000

Cypress Semiconductor

기억

IC MPD NOR 80PQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,924

P770040BFWC052 XF

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,734

P770040BFWC070 XF

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,456

P770040CFWC071 XF

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,454

PC28F00AG18AE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음4,212

PC28F00AG18FE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음3,924

PC28F00AG18FF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 96ns
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음2,988

PC28F00AM29EWH0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음2,322

PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음8,530

PC28F00AM29EWHB TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음3,600

PC28F00AM29EWL0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음2,934

PC28F00AM29EWLA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음176,583

PC28F00AM29EWLD

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음5,166

PC28F00AM29EWLE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (11x13)

재고 있음5,598

PC28F00AP30BF0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음4,608

PC28F00AP30BFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음25,205

PC28F00AP30BFB TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음3,492

PC28F00AP30EF0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음3,870

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음56,627

PC28F00AP30TF0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음4,896

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