메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
70T3399S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (128K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,608
70T3399S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (128K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,150
70T3399S200BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (128K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,910
70T3399S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (128K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,488
70T3509MS133BP IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,752
70T3509MS133BPG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,424
70T3509MS133BPGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,344
70T3509MS133BPI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음5,130
70T3519S133BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,334
70T3519S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,614
70T3519S133BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,766
70T3519S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,284
70T3519S133BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음6,084
70T3519S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음3,708
70T3519S133BFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음2,088
70T3519S133BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음6,606
70T3519S133BFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음4,428
70T3519S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음5,724
70T3519S133DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음5,778
70T3519S133DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음6,732
70T3519S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,932
70T3519S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,372
70T3519S166BCGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,496
70T3519S166BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음5,328
70T3519S166BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,158
70T3519S166BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음3,526
70T3519S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음2,412
70T3519S166BFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음8,856
70T3519S166BFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음7,164
70T3519S166DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음8,658

70T3399S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (128K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,608

70T3399S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (128K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,150

70T3399S200BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (128K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,910

70T3399S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (128K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음7,488

70T3509MS133BP

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,752

70T3509MS133BPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,424

70T3509MS133BPGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음7,344

70T3509MS133BPI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음5,130

70T3519S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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재고 있음8,334

70T3519S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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패키지 / 케이스: 256-LBGA
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재고 있음7,614

70T3519S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,766

70T3519S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,284

70T3519S133BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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재고 있음6,084

70T3519S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음3,708

70T3519S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
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재고 있음2,088

70T3519S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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재고 있음6,606

70T3519S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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재고 있음4,428

70T3519S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음5,724

70T3519S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음5,778

70T3519S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음6,732

70T3519S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,932

70T3519S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음6,372

70T3519S166BCGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,496

70T3519S166BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음5,328

70T3519S166BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,158

70T3519S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음3,526

70T3519S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음2,412

70T3519S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음8,856

70T3519S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음7,164

70T3519S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음8,658

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