메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S29GL064S80TFV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음3,400
S29GL064S80TFV040 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음5,400
S29GL064S90DHVV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,574
S29GL064S90DHVV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음7,920
S29GL064S90FHVV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음3,744
S29GL064S90FHVV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음4,572
S29GL064S90TFVV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음20,796
S29GL064S90TFVV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,370
S29GL08GT11SFCR00 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음22,734
S29GL128N10FAI010 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,318
S29GL128N10FFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,132
S29GL128N10FFI010A Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,150
S29GL128N10FFI013 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
S29GL128N10FFI020 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,704
S29GL128N10TFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음15,459
S29GL128N11FFA010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음2,772
S29GL128N11FFA022 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,268
S29GL128N11FFA023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음2,790
S29GL128N11FFI020 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,570
S29GL128N11FFVR10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음2,700
S29GL128N11FFVR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음6,264
S29GL128N11FFVR22 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음8,928
S29GL128N11TAI010 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,778
S29GL128N11TFA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,978
S29GL128N11TFI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음17,352
S29GL128N11TFVR10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,328
S29GL128N90FFAR22 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음7,416
S29GL128P10FAI012 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음7,866
S29GL128P10FAI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,148
S29GL128P10FAI022 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음3,420

S29GL064S80TFV030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음3,400

S29GL064S80TFV040

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음5,400

S29GL064S90DHVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음2,574

S29GL064S90DHVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음7,920

S29GL064S90FHVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음3,744

S29GL064S90FHVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음4,572

S29GL064S90TFVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음20,796

S29GL064S90TFVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,370

S29GL08GT11SFCR00

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음22,734

S29GL128N10FAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,318

S29GL128N10FFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,132

S29GL128N10FFI010A

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,150

S29GL128N10FFI013

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

S29GL128N10FFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,704

S29GL128N10TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음15,459

S29GL128N11FFA010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음2,772

S29GL128N11FFA022

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,268

S29GL128N11FFA023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음2,790

S29GL128N11FFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,570

S29GL128N11FFVR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음2,700

S29GL128N11FFVR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음6,264

S29GL128N11FFVR22

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음8,928

S29GL128N11TAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,778

S29GL128N11TFA020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,978

S29GL128N11TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음17,352

S29GL128N11TFVR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,328

S29GL128N90FFAR22

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음7,416

S29GL128P10FAI012

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음7,866

S29GL128P10FAI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음5,148

S29GL128P10FAI022

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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