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메모리 IC

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부품 번호
설명
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S29GL256S90TFI020
S29GL256S90TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음1,753
S29GL256S90TFI023
S29GL256S90TFI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,280
S29GL512N10FFA010
S29GL512N10FFA010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,626
S29GL512N11FFA023
S29GL512N11FFA023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,724
S29GL512N11FFI023
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,132
S29GL512N11FFVR20
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,752
S29GL512N11TFI020
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음249,504
S29GL512N11TFVR20
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,340
S29GL512P10FAI010
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,794
S29GL512P10FAIR10
S29GL512P10FAIR10

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음2,988
S29GL512P10FAIR12
S29GL512P10FAIR12

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음17,322
S29GL512P10FAIR20
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음6,570
S29GL512P10FAIR22
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음5,616
S29GL512P10FFCR10
S29GL512P10FFCR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음25,522
S29GL512P10FFCR20
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음7,488
S29GL512P10FFI010
S29GL512P10FFI010

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,640
S29GL512P10FFI020
S29GL512P10FFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,030
S29GL512P10FFIR10
S29GL512P10FFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음15,202
S29GL512P10FFIR10W
S29GL512P10FFIR10W

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음3,598
S29GL512P10FFIS10
S29GL512P10FFIS10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,712
S29GL512P10TAI010
S29GL512P10TAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,862
S29GL512P10TFCR10
S29GL512P10TFCR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음44,581
S29GL512P10TFCR10D
S29GL512P10TFCR10D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,472
S29GL512P10TFCR20
S29GL512P10TFCR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,022
S29GL512P10TFCR20D
S29GL512P10TFCR20D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,584
S29GL512P10TFI020
S29GL512P10TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,470
S29GL512P10TFIR10
S29GL512P10TFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,762
S29GL512P10TFIR10D
S29GL512P10TFIR10D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,226
S29GL512P10TFIR20
S29GL512P10TFIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음10,852
S29GL512P10TFIR20D
S29GL512P10TFIR20D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음509