메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S34ML04G104BHI013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,654
S34ML04G104BHI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음8,262
S34ML04G104BHV010 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,348
S34ML04G104BHV010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음206,922
S34ML04G104BHV013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,670
S34ML04G104BHV013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음38,130
S34ML04G200BHA000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음5,256
S34ML04G200BHA000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,382
S34ML04G200BHA003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,228
S34ML04G200BHA003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,348
S34ML04G200BHB000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음7,902
S34ML04G200BHB000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,346
S34ML04G200BHB003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,356
S34ML04G200BHB003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,806
S34ML04G200BHI000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,870
S34ML04G200BHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,860
S34ML04G200BHI003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,066
S34ML04G200BHI003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
S34ML04G200BHI500 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
S34ML04G200BHI500 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,248
S34ML04G200BHI503 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,194
S34ML04G200BHI503 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음7,992
S34ML04G200BHI900 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
S34ML04G200BHI900 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음3,454
S34ML04G200BHI903 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,676
S34ML04G200BHI903 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음2,358
S34ML04G200BHV000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,336
S34ML04G200BHV000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
S34ML04G200BHV003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: ML-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음2,322
S34ML04G200BHV003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,412

S34ML04G104BHI013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,654

S34ML04G104BHI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음8,262

S34ML04G104BHV010

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,348

S34ML04G104BHV010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음206,922

S34ML04G104BHV013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,670

S34ML04G104BHV013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음38,130

S34ML04G200BHA000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음5,256

S34ML04G200BHA000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,382

S34ML04G200BHA003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,228

S34ML04G200BHA003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,348

S34ML04G200BHB000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음7,902

S34ML04G200BHB000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,346

S34ML04G200BHB003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,356

S34ML04G200BHB003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,806

S34ML04G200BHI000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,870

S34ML04G200BHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,860

S34ML04G200BHI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,066

S34ML04G200BHI003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

S34ML04G200BHI500

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

S34ML04G200BHI500

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,248

S34ML04G200BHI503

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,194

S34ML04G200BHI503

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음7,992

S34ML04G200BHI900

SkyHigh Memory Limited

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IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,858

S34ML04G200BHI900

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음3,454

S34ML04G200BHI903

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,676

S34ML04G200BHI903

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음2,358

S34ML04G200BHV000

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: ML-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,336

S34ML04G200BHV000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

S34ML04G200BHV003

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음2,322

S34ML04G200BHV003

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제조업체: SkyHigh Memory Limited
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메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

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