메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S34MS01G200BHA000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음5,328
S34MS01G200BHA000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,580
S34MS01G200BHA003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,750
S34MS01G200BHA003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,100
S34MS01G200BHB000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음2,952
S34MS01G200BHB000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,056
S34MS01G200BHB003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음3,456
S34MS01G200BHB003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,292
S34MS01G200BHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음2,430
S34MS01G200BHI000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,480
S34MS01G200BHI003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,014
S34MS01G200BHI003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,280
S34MS01G200BHI900 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,696
S34MS01G200BHI900 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음3,294
S34MS01G200BHI903 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,214
S34MS01G200BHI903 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음7,956
S34MS01G200BHV000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음2,412
S34MS01G200BHV000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,942
S34MS01G200BHV003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,838
S34MS01G200BHV003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,878
S34MS01G200GHI000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,570
S34MS01G200GHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 67-VFBGA 공급자 장치 패키지: 67-BGA (8x6.5)	재고 있음18,624
S34MS01G200GHI003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,076
S34MS01G200GHI003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 67-VFBGA 공급자 장치 패키지: 67-BGA (8x6.5)	재고 있음2,268
S34MS01G200TFA000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음2,610
S34MS01G200TFA000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,304
S34MS01G200TFA003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,964
S34MS01G200TFA003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
S34MS01G200TFB000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음7,038
S34MS01G200TFB000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,766

S34MS01G200BHA000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음5,328

S34MS01G200BHA000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,580

S34MS01G200BHA003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,750

S34MS01G200BHA003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,100

S34MS01G200BHB000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음2,952

S34MS01G200BHB000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,056

S34MS01G200BHB003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음3,456

S34MS01G200BHB003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,292

S34MS01G200BHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음2,430

S34MS01G200BHI000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,480

S34MS01G200BHI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,014

S34MS01G200BHI003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,280

S34MS01G200BHI900

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,696

S34MS01G200BHI900

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음3,294

S34MS01G200BHI903

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,214

S34MS01G200BHI903

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음7,956

S34MS01G200BHV000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음2,412

S34MS01G200BHV000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,942

S34MS01G200BHV003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,838

S34MS01G200BHV003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,878

S34MS01G200GHI000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,570

S34MS01G200GHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 67-VFBGA
공급자 장치 패키지: 67-BGA (8x6.5)

재고 있음18,624

S34MS01G200GHI003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,076

S34MS01G200GHI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 67-VFBGA
공급자 장치 패키지: 67-BGA (8x6.5)

재고 있음2,268

S34MS01G200TFA000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음2,610

S34MS01G200TFA000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,304

S34MS01G200TFA003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,964

S34MS01G200TFA003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

S34MS01G200TFB000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음7,038

S34MS01G200TFB000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,766

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