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메모리 IC

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70V26L35G
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음3,348
70V26L35J
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음6,318
70V26L35J8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음5,256
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음7,776
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음8,982
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음4,302
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음7,578
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음4,680
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음3,330
70V26S25JI8
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음3,816
70V26S35G
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음6,300
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
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  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음8,370
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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음2,088
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음2,790
70V26S55J
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음3,042
70V26S55J8
70V26S55J8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음6,804
70V27L15BF
70V27L15BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 144CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 144-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 144-CABGA (12x12)
재고 있음6,822
70V27L15PF
70V27L15PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,646
70V27L15PF/2703
70V27L15PF/2703

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,996
70V27L15PF8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,592
70V27L15PFG
70V27L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음15,936
70V27L15PFG8
70V27L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,480
70V27L15PFGI
70V27L15PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,340
70V27L15PFI/2703
70V27L15PFI/2703

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,276
70V27L20PF
70V27L20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,516
70V27L20PF8
70V27L20PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,824
70V27L20PFGI
70V27L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음22
70V27L20PFGI8
70V27L20PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,628
70V27L20PFI
70V27L20PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,730
70V27L20PFI8
70V27L20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,606