메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
70V3589S166BFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음4,122
70V3589S166DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음3,744
70V3589S166DRG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,682
70V3589S166DRG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,358
70V3599S133BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,186
70V3599S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,712
70V3599S133BCGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,986
70V3599S133BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,678
70V3599S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,032
70V3599S133BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음5,418
70V3599S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음4,500
70V3599S133BFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,092
70V3599S133BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,830
70V3599S133BFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음6,894
70V3599S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음3,546
70V3599S133DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,394
70V3599S133DRGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음3,330
70V3599S133DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,106
70V3599S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,892
70V3599S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,974
70V3599S166BCG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,136
70V3599S166BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음5,166
70V3599S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,586
70V3599S166BFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음6,336
70V3599S166BFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음4,536
70V3599S166DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,826
70V3599S166DRG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,862
70V35L15PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 144Kb (8K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음3,348
70V35L15PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 144Kb (8K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음2,448
70V35L15PFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 144Kb (8K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,806

70V3589S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음4,122

70V3589S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음3,744

70V3589S166DRG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,682

70V3589S166DRG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,358

70V3599S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,186

70V3599S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,712

70V3599S133BCGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
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재고 있음4,986

70V3599S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
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전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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재고 있음6,678

70V3599S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
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재고 있음4,032

70V3599S133BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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재고 있음5,418

70V3599S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
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재고 있음4,500

70V3599S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,092

70V3599S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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재고 있음7,830

70V3599S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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재고 있음6,894

70V3599S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
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재고 있음3,546

70V3599S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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재고 있음2,394

70V3599S133DRGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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재고 있음3,330

70V3599S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,106

70V3599S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
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재고 있음8,892

70V3599S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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접근 시간: 3.6ns
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재고 있음7,974

70V3599S166BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
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재고 있음8,136

70V3599S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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패키지 / 케이스: 208-LFBGA
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재고 있음5,166

70V3599S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음8,586

70V3599S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음6,336

70V3599S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음4,536

70V3599S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,826

70V3599S166DRG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,862

70V35L15PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 144Kb (8K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음3,348

70V35L15PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 144Kb (8K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음2,448

70V35L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 144Kb (8K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,806

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