메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
71T75602S133BGG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,498
71T75602S133BGG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,056
71T75602S133BGGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,022
71T75602S133BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,202
71T75602S133BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,600
71T75602S133BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,408
71T75602S133PFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7,290
71T75602S133PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음8,586
71T75602S133PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,824
71T75602S133PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음2,772
71T75602S150BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,658
71T75602S150BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음4,716
71T75602S150BGG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,354
71T75602S150BGG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,502
71T75602S150BGGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,564
71T75602S150BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,618
71T75602S150BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,628
71T75602S150BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,664
71T75602S150PFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7,056
71T75602S150PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7,416
71T75602S150PFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,806
71T75602S150PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음8,064
71T75602S166BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,084
71T75602S166BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,214
71T75602S166BGG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,070
71T75602S166BGG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,418
71T75602S166BGGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,226
71T75602S166BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,856
71T75602S166BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,604
71T75602S166BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,444

71T75602S133BGG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음6,498

71T75602S133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,056

71T75602S133BGGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음5,022

71T75602S133BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음5,202

71T75602S133BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,600

71T75602S133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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시계 주파수: 133MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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71T75602S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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71T75602S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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71T75602S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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재고 있음4,806

71T75602S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
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재고 있음6,084

71T75602S166BG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음2,214

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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재고 있음2,070

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음8,226

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음8,856

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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

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제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

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