메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
71V016SA20PHG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,842
71V016SA20PHG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,148
71V016SA20PHGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,938
71V016SA20PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,022
71V016SA20YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음6,552
71V016SA20YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음7,920
71V016SA20YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음7,758
71V016SA20YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음3,186
71V124SA10PHG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음7,722
71V124SA10PHG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음14,148
71V124SA10PHGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음5,040
71V124SA10PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음3,942
71V124SA10TYG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음8,316
71V124SA10TYG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음7,902
71V124SA10YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음4,446
71V124SA10YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음4,752
71V124SA12PHG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음7,884
71V124SA12PHG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음5,562
71V124SA12PHGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음8,892
71V124SA12PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음8,316
71V124SA12TYG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음8,352
71V124SA12TYG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음6,768
71V124SA12TYGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음5,706
71V124SA12TYGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음5,994
71V124SA12YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음13,992
71V124SA12YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음8,316
71V124SA12YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음5,148
71V124SA12YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,490
71V124SA15PHG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음4,428
71V124SA15PHG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음6,930

71V016SA20PHG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,842

71V016SA20PHG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,148

71V016SA20PHGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,938

71V016SA20PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,022

71V016SA20YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음6,552

71V016SA20YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음7,920

71V016SA20YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 3V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음7,758

71V016SA20YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음3,186

71V124SA10PHG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,722

71V124SA10PHG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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재고 있음14,148

71V124SA10PHGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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71V124SA10PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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재고 있음3,942

71V124SA10TYG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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71V124SA10TYG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,902

71V124SA10YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
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시계 주파수: -
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재고 있음4,446

71V124SA10YG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
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재고 있음4,752

71V124SA12PHG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,884

71V124SA12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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전압-공급: 3V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
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재고 있음5,562

71V124SA12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
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재고 있음8,892

71V124SA12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음8,316

71V124SA12TYG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
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시계 주파수: -
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재고 있음8,352

71V124SA12TYG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음6,768

71V124SA12TYGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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전압-공급: 3V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
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재고 있음5,706

71V124SA12TYGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
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재고 있음5,994

71V124SA12YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음13,992

71V124SA12YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음8,316

71V124SA12YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
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시계 주파수: -
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재고 있음5,148

71V124SA12YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
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시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,490

71V124SA15PHG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
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재고 있음4,428

71V124SA15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

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