Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 224/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
71V25761S183BGI
71V25761S183BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음5,796
71V25761S183BGI8
71V25761S183BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음7,362
71V25761S183PFG
71V25761S183PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음6,246
71V25761S183PFG8
71V25761S183PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음2,214
71V25761S183PFGI
71V25761S183PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP
재고 있음4,680
71V25761S183PFGI8
71V25761S183PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 183MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP
재고 있음7,272
71V25761S200BG
71V25761S200BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음8,838
71V25761S200BG8
71V25761S200BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음8,730
71V25761S200PFG
71V25761S200PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,628
71V25761S200PFG8
71V25761S200PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,020
71V25761S200PFGI
71V25761S200PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,606
71V25761S200PFGI8
71V25761S200PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,536
71V25761YS200PFG
71V25761YS200PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.1ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음2,232
71V30L25TF
71V30L25TF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음5,058
71V30L25TF8
71V30L25TF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,986
71V30L25TFG
71V30L25TFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,500
71V30L25TFG8
71V30L25TFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음8,352
71V30L25TFI
71V30L25TFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음2,826
71V30L25TFI8
71V30L25TFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,860
71V30L35TF
71V30L35TF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음6,264
71V30L35TF8
71V30L35TF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음2,538
71V30L35TFGI
71V30L35TFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음8,334
71V30L35TFGI8
71V30L35TFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음8,352
71V30L35TFI
71V30L35TFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,842
71V30L35TFI8
71V30L35TFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음2,934
71V30L55TF
71V30L55TF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,428
71V30L55TF8
71V30L55TF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음7,110
71V30L55TFI
71V30L55TFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음2,916
71V30L55TFI8
71V30L55TFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음4,392
71V30S25TF
71V30S25TF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)
재고 있음8,622